Snapdragon 8 Gen 4 per Galaxy potrebbe essere prodotto sul nodo 3GAP di Samsung; la versione normale utilizzerà TSMC N3E
L'imminente Snapdragon 8 Gen 3 è praticamente confermato che sarà prodotto sul nodo di processo N4P di TSMC, il che lo pone teoricamente in una posizione di svantaggio rispetto all'A17 Bionic basato su TSMC N3B. Tuttavia, la situazione potrebbe essere più complessa il prossimo anno, se un recente tweet del leaker @tech_reve è accurato.
A quanto pare, Qualcomm ha in programma il dual-source dello Snapdragon 8 Gen 4. Una variante del SoC, probabilmente destinata all'uso generale, sarà prodotta su TSMC N3E. D'altra parte, lo Snapdragon 8 Gen 4 per Galaxy, la versione riservata a Samsung, sarà prodotto sul nodo 3GAP di Samsung Foundries. È interessante notare che il chip Dream Team, alias Exynos 2500si prevede che anche il chip Dream Team, noto come Exynos 2500, seguirà le sue orme.
Sebbene non sia raro che gli OEM si riforniscano di chip da due diverse fonderie, l'unica volta che Apple ci ha provato con l'A9 nel 2015 è stato un disastro (ricordate il Chipgate?). Tuttavia, invece di essere colpiti dal pubblico in generale, questa volta saranno solo gli utenti Samsung a risentirne. Tuttavia, sarà interessante vedere come le due varianti dello Snapdragon 8 Gen 4 si comportano nel mondo reale.
I precedenti non proprio eccellenti di Samsung Foundries rendono facile liquidare i suoi prodotti come inferiori. Tuttavia, il suo design dei transistor gate-all-around potrebbe contribuire a colmare l'enorme divario in termini di prestazioni/termici/efficienza tra le offerte di TSMC con specifiche simili. Questo, unito ai nuovi core CPU Nuvia dello Snapdragon 8 Gen 4, potrebbe contribuire a colmare l'enorme divario in termini di prestazioni, calore ed efficienza Core della CPU Nuvia e il supporto per la dGPU esterna, potrebbero dargli il vantaggio competitivo tanto necessario per affrontare Apple.
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