Secondo quanto riferito, TSMC è in ritardo rispetto a Samsung Foundry nei rendimenti a 3 nm
In un precedente rapporto si leggeva Samsung Foundry stava ottenendo buoni risultati con il suo nodo a 3 nm, con rendimenti del 60%. Mapple_Gold, un insider del settore, ha affermato che in un caso la resa ha raggiunto il 75%. D'altro canto, TSMC sembra ancora in difficoltà con il suo nodo a 3 nm, come riportato dall'organo di informazione sudcoreano KMIB.
I rendimenti del chipmaker con sede a Taiwan sono attualmente del 55%. Sebbene non venga menzionata la variante N3 in questione, è probabile che si tratti di N3B, la prima iterazione. La decisione di TSMC di mantenere un design FinFET potrebbe avere a che fare con i rendimenti inferiori alla media.
D'altra parte, il nodo a 3 nm di Samsung utilizza la più recente tecnologia GAA FET, che sarà adottata da TSMC per la sua prossima generazione di chip prossima generazione di chip. Le voci provenienti da Meeco suggeriscono che i problemi di TSMC potrebbero non essere finiti presto e che persistono anche per il nodo a 2 nm. A peggiorare le cose, la concorrenza sarà molto più intensa in quel periodo (2025), con Intel Foundry Services con il suo nodo a 18A.
Nonostante i rendimenti più elevati, Samsung Foundry non è ancora riuscita ad attirare clienti. La situazione potrebbe però cambiare presto, dato che AMD, secondo quanto riferito, utilizzerà il suo nodo a 3 nm per alcuni dei suoi prossimi componenti per AI e data center. Con Apple che detiene ancora la parte del leone della capacità a 3 nm, altri operatori come Qualcomm potrebbero essere costretti a guardare a Samsung, nonostante il loro passato travagliato con lo Snapdragon 888 e Snapdragon 8 Gen 1.
Fonte(i)
KMIB (in coreano)
