Samsung sviluppa la prima DRAM GDDR7 del settore con larghezza di banda di 1,5 TBps

Dopo averla mostrata per la prima volta il mese scorso, Samsung ha annunciato che la fase di sviluppo della prima soluzione DRAM GDDR7 del settore è stata completata. Questa nuova soluzione di memoria ad alta velocità di Samsung arriva dopo che l'anno scorso aveva presentato la prima DRAM GDDR6 a 24 Gbps del settore.

Secondo Yongcheol Bae, Executive Vice President del Memory Product Planning Team di Samsung Electronics, "La nostra DRAM GDDR7 contribuirà ad elevare l'esperienza dell'utente in settori che richiedono prestazioni grafiche eccezionali, come le workstation, i PC e le console di gioco, e si prevede che si espanderà in applicazioni future come l'AI, l'elaborazione ad alte prestazioni (HPC) e i veicoli automobilistici".

Le caratteristiche tecniche di questo nuovo chip di memoria includono una larghezza di banda 1,4 volte superiore a quella delle GDDR6 (1,5 TBps contro 1,1 TBps), una velocità massima incrementata per pin di 32 Gbps e un solido miglioramento del 20% nell'efficienza energetica. A ciò si aggiunge l'utilizzo di un composto epossidico per il materiale di imballaggio che, insieme all'ottimizzazione dell'architettura IC di questi nuovi chip di memoria, riduce la resistenza termica di ben il 70% rispetto alle GDDR6.

I primi prodotti hardware che utilizzeranno la nuova DRAM GDDR7 di Samsung potrebbero arrivare sul mercato alla fine del 2023, se tutto andrà come previsto. Maggiori informazioni in merito dovrebbero emergere nei prossimi mesi direttamente dai vari partner di Samsung coinvolti, quindi rimanete sintonizzati.

Acquista l'SSD portatile Samsung T7 (MU-PC1T0T/AM) su Amazon