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Samsung rilascerà presto SSD PCIe 5.0 NVMe con memoria V-NAND a 176 strati

I dispositivi PCIe 5.0 dovrebbero iniziare a spuntare nel corso di quest'anno. (Fonte: Samsung)
I dispositivi PCIe 5.0 dovrebbero iniziare a spuntare nel corso di quest'anno. (Fonte: Samsung)
I chip di memoria V-NAND di settima generazione con 176 strati di Samsung offrono la dimensione delle celle più piccola del settore in questo momento, con il 16% di efficienza energetica in più rispetto alla generazione precedente e velocità di I/O di 2 Gbps che sono progettati per sfruttare gli standard PCIe 4.0 e PCIe 5.0. Gli SSD NVMe della serie 990 dovrebbero essere rilasciati verso la fine dell'anno

Intel Alder Lake che sarà lanciata alla fine del 2021, sarà la prima a supportare il PCIe 5.0 standard. Quando questa caratteristica è stata confermata da Intel al Computex, non eravamo davvero sicuri che avrebbe avuto un impatto, dato che nessuno ha annunciato alcun componente che integrasse il nuovo standard all'expo. Nel frattempo, Samsung si è fatta avanti e sembra che potremmo vedere alcuni SSD PCIe 5.0 disponibili entro le vacanze di quest'anno.

Samsung ha annunciato che è pronta a iniziare la produzione per il 7° gen 176-layer V-NAND chip di memoria V-NAND di settima generazione che saranno presto aggiunti alla sua linea di SSD consumer. Grazie al maggior numero di strati e la più piccola dimensione delle celle nel settore, i chip di memoria sono ora in grado di fornire velocità di 2 Gbps I/O, e questo potrebbe essere ulteriormente potenziato attraverso il PCIe 4.0 e le interfacce PCIe 5.0. Inoltre, le capacità degli SSD potrebbero vedere un discreto aumento. Samsung sostiene che i prossimi SSD sono "ottimizzati per il multitasking e carichi di lavoro enormi, come il rendering 3D simultaneo e l'editing video" I nuovi chip V-NAND sono anche il 16% più efficienti dal punto di vista energetico e possono quindi essere integrati negli SSD dei centri dati. Aspettatevi di vedere un annuncio per gli SSD NVMe della serie 990 di Samsung in qualsiasi momento.

La corsa agli strati di memoria è tutt'altro che finita, e Samsung ha già finito i progetti per i chip V-NAND di 8a generazione con più di 200 strati. Il gigante coreano sta già immaginando i futuri chip che integreranno più di 1.000 strati, e questo sarà possibile con l'uso della tecnologia 3D scaling.

 

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Bogdan Solca, 2021-06-10 (Update: 2021-06-10)