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Samsung presenta le memorie HBM2 Flashbolt

Teaser
La memoria HBM2 di Samsung è in continua evoluzione, l'azienda ha presentato un nuovo stack di memoria denominato Flashbolt capace di offrire velocità di trasferimento più elevate e una migliore scalabilità.
Storage AMD

Gli ultimi moduli HBM2E da 16 Gigabyte di Samsung possono raggiungere una velocità di 3.2 Gbps, ossia 410 GB/s quando applicati ad uno stack di memoria. Ad esempio, una scheda video AMD Radeon RX Vega 56 è in grado di raggiungere i 410 GB/s di larghezza di banda utilizzando due moduli HBM2.

Le nuove memorie di Samsung offrono pertanto un aumento prestazionale doppio rispetto alle memorie implementate all'interno della scheda grafica RX Vega 56. Se i nuovi moduli venissero utilizzati sulla scheda di AMD, si raggiungerebbero i 32 GB di VRAM e fino a 820 GB/s di larghezza di banda. Ma non è tutto, il produttore afferma che questi chip sono in grado di operare fino a 4.2 Gbps spingendo la larghezza di banda fino a 538 GB/s.

La produzione in volumi di memorie HBM2E è prevista per la metà dell'anno e nella prima fase coesisteranno sul mercato entrambe le generazioni HBM2 e HBM2E. 

Source(s)

overclock3d

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Luca Rocchi, 2020-02- 5 (Update: 2020-02- 5)