Samsung presenta la prima DRAM DDR5 di classe 12 nm del settore con velocità fino a 7,2 Gbps
A marzo, Samsung ha presentato una soluzione DRAM LPDDR5X a 7,5 Gbps, per poi alzare il tiro a settembre con la DRAM LPDDR5X più veloce del settore. Sebbene il record di 8,5 Gbps stabilito allora non sia stato superato dalla nuova soluzione odierna, la velocità di 7,2 Gbps annunciata da Samsung per i nuovi chip non è un risultato di cui vergognarsi. Dal momento che la prima classe di 12 nm del settore è dotata della più alta densità di die finora, la produttività dei wafer è aumentata del 20%.
Secondo Jooyoung Lee, vicepresidente esecutivo della divisione DRAM Product & Technology di Samsung Electronics, la DRAM a 12 nm "sarà un fattore chiave per l'adozione a livello di mercato della DRAM DDR5"; inoltre, si prevede che questa tecnologia "servirà da base per operazioni più sostenibili in settori quali l'informatica di prossima generazione, i data center e i sistemi guidati dall'intelligenza artificiale", fornendo prestazioni di alto livello ed efficienza energetica.
Sebbene l'inizio della produzione di massa sia previsto per il 2023, Samsung ha già annunciato il completamento di una fase importante che precede il lancio sul mercato di prodotti basati su DDR5 a 12 nm, ovvero la valutazione della compatibilità con le piattaforme AMD Zen. Oltre all'aumento della produttività dei wafer menzionato in precedenza, la DRAM a 12 nm offre anche una migliore efficienza. Secondo Samsung, questa soluzione utilizza fino al 23% di energia in meno rispetto alla generazione precedente.
Samsung non ha rivelato una tempistica precisa, ma in base alle informazioni rivelate finora, è molto probabile che i primi prodotti DRAM di classe 12 nm arriveranno sul mercato entro la metà del 2023.
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