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Samsung e SK Hynix si dice che aumenteranno le prestazioni degli acceleratori AI con l'avvento dello standard DRAM HBM4

Raddoppio della larghezza di banda HBM3E (Fonte: Samsung)
Raddoppio della larghezza di banda HBM3E (Fonte: Samsung)
L'HBM4 potrebbe offrire una larghezza di bus raddoppiata a 2048 bit e una larghezza di banda della memoria fino a 2,3 TB/s se Samsung e SK Hynix riusciranno a mantenere lo stesso numero di stack di memoria delle attuali configurazioni HBM3E.

La DRAM HBM è ancora costosa rispetto alle soluzioni GDDR che vediamo integrate nelle schede video dei consumatori schede video consumerma il prezzo giustifica in gran parte i guadagni di prestazioni. Questo è il motivo per cui la HBM viene fornita con gli acceleratori HPC e AI per il momento. È anche il motivo per cui le ultime schede H100 di Nvidia costano così tanto, poiché contengono DRAM HMB3E. Fonti sudcoreane vicine a DigiTimes sostengono che la situazione potrebbe presto cambiare con l'introduzione dello standard HBM4 che raddoppia la larghezza del bus di memoria rispetto alla versione precedente.

Secondo DigiTimes, l'HBM4 sarà l'aggiornamento più importante nella storia delle DRAM HBM, poiché aumenterà l'ampiezza dello stack bus da 1024 bit a 2048 bit. L'attuale standard HBM3 vanta ~9 GT/s per chip, con una larghezza di banda di picco di 1,15 TB/s per tutti gli stack. Se lo standard HBM4 manterrà lo stesso numero di stack, la larghezza di banda di picco potrebbe essenzialmente raggiungere 2,30 TB/s.

Prendiamo il modello Nvidia H100per esempio. Questa scheda è dotata di sei KGSD (known good stack dies) HBM3E a 1024 bit che combinano un'interfaccia a 6144 bit. A causa delle preoccupazioni relative alla difficoltà di produrre stack di memoria con più di 1.024 vias di silicio, Samsung e SK Hynix dovranno dimostrare di essere in grado di mantenere lo stesso numero di stack aumentando la larghezza del bus a 2048 bit, nonostante le dichiarazioni di rendimenti vicini al 100%.

 

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Bogdan Solca, 2023-09-14 (Update: 2023-09-14)