Samsung annuncia lo standard di memoria GDDR7 a 36 Gbps e punta a rilasciare soluzioni di archiviazione V-NAND con 1000 strati entro il 2030
Samsung ha presentato una nuova ondata di soluzioni di memoria e i piani futuri per migliorare in modo esponenziale le prestazioni dei data center, dei server, dei dispositivi mobili, dei giochi e dei mercati automobilistici. I punti salienti delle memorie al Samsung Tech Day di quest'anno includono il miglioramento delle capacità delle memorie DDR5 DDR5, l'annuncio dello standard GDDR di prossima generazione e una visione futura per le memorie V-NAND v-NAND.
Per quanto riguarda il mercato delle memorie DRAM, Samsung sta accelerando il processo di produzione 1b che consente di superare i 10 nm grazie a tecnologie come High-K. L'azienda introdurrà presto densità DDR5 di 32 Gb per chip di memoria, con un aumento di 2 volte rispetto agli attuali 16 Gb e del 33% rispetto ai chip da 24 Gb. Inoltre, gli 8,5 Gbps LPDDR5X Per telefoni cellulari e ultrabook, si prevede una maggiore adozione nel corso del prossimo anno. Soluzioni DRAM su misura come HBM-PIMaXDIMM e CXL saranno ulteriormente sviluppate per consentire l'elaborazione accelerata delle applicazioni di intelligenza artificiale e delle reti neurali.
Le GPU di prossima generazione beneficeranno di una RAM più veloce: il colosso sudcoreano ha infatti annunciato le specifiche GDDR7 con velocità di trasferimento fino a 36 Gbps. Questo nuovo standard dovrebbe migliorare la velocità del 50% rispetto agli attuali 24 Gbps GDDR6X di Micron offerti da alcune schede Nvidia RTX 4000. Con un bus a 384 bit, le GDDR7 possono teoricamente fornire un'ampiezza di banda di 1,7 TB/s, ma anche un bus a 256 bit può ancora superare il limite di 1 TB/s.
Infine, ma non meno importante, Samsung ha parlato di miglioramenti per i chip di memoria V-NAND. i chip V-NAND TLC da 1 TB saranno disponibili alla fine del 2022 e lo sviluppo della V-NAND di nona generazione è già in corso, con la produzione dei primi chip prevista per il 2024. Samsung punta a rilasciare una soluzione V-NAND a 1000 strati entro il 2030
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