SK Hynix annuncia una DRAM all'avanguardia basata su HBM3

SK Hynix ha lanciato il suo ultimo nella memoria ad alta larghezza di banda tipicamente destinata a casi d'uso esigenti e ad alte prestazioni come l'AI, il machine-learning, la grafica di fascia alta e le esigenze generali del datacenter. Nonostante il suo nome, HBM3 è considerata la quarta generazione del suo standard, e rappresenta un aggiornamento di HBM2Eche era un miglioramento di HBM2 a sua volta

Il suo produttore sudcoreano afferma che sarà la più potente DRAM sulla Terra al suo rilascio. Questo è dovuto alla sua nuova velocità massima di elaborazione dei dati di 819 gigabyte al secondo (GB/s), o fino al 78% più veloce di HBM2Ee potrebbe consentire a un utente di trasmettere fino a 163 file video di 5GB di dimensione ciascuno in appena 1 secondo

SK Hynix ha anche confermato che offrirà la sua DRAM HBM3 con 24GB di capacità, oltre ai 16GB massimi di HBM2E. Questa nuova dimensione di fascia alta è stata raggiunta grazie alle ultime scoperte nella produzione di chip, grazie alle quali l'altezza dei chip è stata raffinata fino a soli 30 micrometri (μm), il che consente all'azienda di impilare 12 chip (rispetto agli 8 di HBM2E) verticalmente per ottenere un singolo stack da 24 GB

HBM3 di SK Hynix attende ancora la disponibilità e i dati sui prezzi. Tuttavia, il suo produttore prevede che sarà molto richiesta dagli acquirenti coinvolti nel supercomputing di tutti i tipi quando sarà pronta per la spedizione. Seon-yong Cha, vicepresidente esecutivo dello sviluppo DRAM all'interno di questa società, ha indicato che questa HBM di prossima generazione "solidificherà la nostra leadership nel mercato della memoria premium"

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