La produzione di memorie Samsung da 3 nanometri potrebbe subire un ritardo

La maggior parte della produzione mondiale di chip è gestita da due grandi realtà (TSMC e Samsung) che hanno intenzione di presentare nel breve periodo nuovi nodi da 5 nanometri così da potersi dedicare maggiormente a quelli da 3 nanometri, attesi per i prossimi anni. Per osservare dei miglioramenti concreti derivati dalla tecnologia di produzione sono necessari diversi anni ricerca e naturalmente ingenti iniezioni di denaro. Il processo produttivo a 3 nanometri adotterà la nuova tecnologia GAAFET, capace di offrire un consumo ridotto del 50% e il 30% di prestazioni in più rispetto al processo produttivo a 5 nanometri FinFET.

Secondo Digitimes, la ricerca e lo sviluppo per i nodi da 3 nanometri potrebbe subire forti ritardi a causa della pandemia di Coronavirus in corso, che potrebbe ostacolare l'installazione di importanti macchinari e la conseguente apertura di nuovi stabilimenti. Nonostante in Cina l'emergenza sembrerebbe rientrata, sono necessari ancora diveri mesi prima che gli acquirenti tornino ad acquistare componenti non di prima necessità come ad esempio le memorie NAND Flash. Durante le ultime settimane i prezzi delle memorie avrebbero subito un forta flessione rallentando, di conseguenza, i guadagni delle società.

Nessuna conferma o smentita da parte di Samsung; se i piani non dovessero subire variazioni la produzione di massa dei chip da 3 nanometri dovrebbe iniziare nel corso del 2021, pertanto un anno in anticipito rispetto ai piani di TSMC.