La più avanzata DRAM LPDDR4 a 10 nm di SK Hynix per i dispositivi mobili è ora in produzione di massa
SK Hynix ha una nuova forma di DRAM mobile da presentare oggi (12 luglio 2021). Questo "1a" (o quarta generazione 10nm) potrebbe essere LPDDR4; tuttavia, l'OEM afferma che detiene un nuovo record di velocità di trasferimento per questo standard JEDEC: 4.266 megabit al secondo (Mb/s), mentre consuma fino al 20% meno energia rispetto al suo predecessore 1z
Il 1a (conosciuta anche come 1anm) DRAM è anche la prima SK Hynix LPDDR4 ad utilizzare il processo Processo EUV normalmente riservato ai chipset o ai moduli di fascia alta. L'OEM nota che questo aggiornamento significa che può ottenere il 25% in più di singoli chip per superficie del wafer rispetto alla tecnica utilizzata per 1znm.
Pertanto, SK Hynix indica che ha il potenziale per essere più conveniente, oltre ad essere più veloce e più efficiente dal punto di vista energetico. Questo potrebbe mantenere la sua LPDDR4 rilevante e attraente per gli OEM di smartphone, anche di fronte all'ascesa della next-gen Basata su DDR5 RAM in questo settore - inoltre, la sua adozione potrebbe portare a dispositivi di fascia media ben alimentati per i consumatori dell'immediato futuro.
Nondimeno, LPDDR5 potrebbe rapidamente diventare la norma nelle fasce alte dello stesso mercato. Forse è giusto che SK Hynix abbia anche annunciato che è quasi pronta ad applicare il nuovo processo 1anm EUV alla produzione di questa nuova DRAM pure. I chip next-gen risultanti potrebbero iniziare ad essere disponibili già nel 2022.
Fonte(i)
