Infineon presenta i wafer di silicio più sottili al mondo con uno spessore di 20 micrometri

Infineon Technologies AG ha annunciato un importante passo avanti nella produzione di semiconduttori: ha realizzato e lavorato wafer di potenza in silicio ultrasottili da 300 mm. Con uno spessore di soli 20 micrometri, circa la larghezza di un capello umano, questi wafer stabiliscono un nuovo record di sottigliezza, aumentando al contempo le prestazioni e l'efficienza in modo significativo.

Questi wafer innovativi, sviluppati e prodotti da Infineon, sono spessi solo la metà rispetto all'attuale standard industriale di 40-60 micrometri. Tagliando questo spessore extra, hanno ridotto la resistenza del substrato del 50 percento, portando a una riduzione della perdita di potenza di oltre il 15 percento rispetto ai wafer di silicio tradizionali.

Arrivare all'ambizioso spessore di 20 micrometri non è stato facile. Gli ingegneri di Infineon hanno dovuto superare una serie di sfide tecniche. Hanno ideato un nuovo metodo di macinazione dei wafer per gestire la pila di metallo che tiene il chip sul wafer, che in realtà è più spesso di 20 micrometri. Inoltre, hanno dovuto affrontare problemi come l'incurvamento del wafer e i problemi di separazione durante l'assemblaggio back-end, assicurando che i wafer rimanessero robusti, pur adattandosi alle linee di produzione ad alto volume esistenti di Infineon.

La tecnologia dei wafer ultrasottili è già stata testata e introdotta negli Smart Power Stages integrati di Infineon per la conversione DC-DC, e sono già in consegna ai clienti. L'azienda prevede che questo design ad alta efficienza energetica sostituirà i wafer dei convertitori di potenza a bassa tensione esistenti nei prossimi tre o quattro anni.

Infineon prevede di mostrare al pubblico il wafer di silicio ultrasottile in occasione di Electronica 2024, dal 12 al 15 novembre a Monaco.