La startup cinese di chip Numemory sta ampliando la sua linea di memorie di classe storage (SCM) con NM102 - un chip di memoria a cella singola da 128 gigabit (16 GB). Questo nuovo chip ha un notevole salto di capacità rispetto alla prima generazione NM101 da 64 Gb, uscita nel settembre 2023.
Con sede a Wuhan e ufficialmente nota come Xincun Technology, l'azienda ha costruito questi chip di memoria per combinare prestazioni simili a quelle della DRAM con i vantaggi dell'archiviazione NAND flash. L'NM102 utilizza ancora l'interfaccia NAND standard da 3200 MT/s e una tensione di I/O di 1,2 V come il suo modello precedente, ma ora contiene il doppio dello spazio di archiviazione.
La tecnologia di Numemory punta a tempi di risposta a livello di microsecondi, collocandosi tra la velocità fulminea di nanosecondi della DRAM e il ritmo più lento della tradizionale NAND flash. Per dare un'idea, la maggior parte dei moderni chip 3D TLC NAND raggiunge circa 80 microsecondi per le operazioni di lettura, con tempi di scrittura di centinaia di microsecondi.
Questi nuovi chip potrebbero essere utilizzati come blocchi di costruzione per le unità a stato solido, ma la loro bassa capacità per chip potrebbe essere un po' un ostacolo per i fattori di forma mainstream. Per esempio, un SSD M.2-2280 avrebbe bisogno di molti di questi chip per raggiungere capacità competitive, dato che si possono inserire solo quattro pacchetti di memoria per lato.
Numemory, che è stata fondata nel luglio del 2022, conta oggi circa 220 dipendenti - e circa l'80 percento di loro si occupa di ricerca e sviluppo. Anche se l'azienda non ha condiviso molti dettagli su come produce questi chip o sui dettagli tecnici della tecnologia, questo avanzamento segna un altro passo nella spinta della Cina verso l'autosufficienza dei semiconduttori. È ancora più notevole ora che una tecnologia simile, come la memoria Optane di Intel, non è più in circolazione.
Fonte(i)
TomsHardware (in inglese) & Numemory (in cinese)
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