I prossimi chip gate-all-around a 3 nm di Samsung scoperti all'interno di impianti di cryptomining
Samsung è stata la prima azienda a introdurre il gate-all-around nei suoi nodi SF3E per la produzione di massa la scorsa estate, ma i rendimenti iniziali sembravano essere molto bassi. Samsung ha promesso miglioramenti nel corso dei prossimi due anni, e ora i rendimenti a 3 nm si attestano al 60% 3 nm si attesta al 60%mentre i nodi SF3 di seconda generazione https://semiconductor.samsung.com/foundry/process-technology/logic-node/ di seconda generazione è prevista entro il 2024. Nonostante i bassi rendimenti iniziali, Samsung è riuscita a ordini da parte di grandi clienti come Nvidia, Qualcomm e IBM. Nessuna di queste ha ancora annunciato prodotti realizzati con i nodi SF3E, ma sembra che alcune aziende oscure stiano già vendendo sistemi che utilizzano il processo a 3 nm di Samsung. Secondo TechInsights, tra le prime aziende a utilizzare il nodo più avanzato di Samsung c'è MicroBT, che si occupa principalmente di cripto-estrazione criptovalute.
TechInsights ha scoperto che un modello specifico del portafoglio MicroBT è alimentato da ASIC a 3 nm. Il modello si chiama Whatsminer M56S++, attualmente in vendita a 6.350 dollari, ed è utilizzato per il mining di Bitcoin con un hashrate fino a 254 Th/s e un'efficienza energetica di 22 J/Th. Questo sistema è grande come un PC mid-tower, solo che ha un orientamento orizzontale, e pesa 16 kg. Al picco di hashrate, assorbe 5.588 W dalla parete.
Il modello Whatsminer M56S++ è chiaramente più efficiente dal punto di vista energetico rispetto al più venduto M30S, che è quasi tre volte più lento a una velocità di 92 Th/s, ma ha un consumo energetico di 3.600 W. Certo, l'M30S è più piccolo e ha meno ASIC, oltre a costare cinque volte meno, ma le specifiche sembrano essere in linea con i miglioramenti stimati di 3 nm rispetto ai 5 nm che includono una riduzione del 45% del consumo energetico e un aumento del 23% delle prestazioni per un numero di transistor e frequenze simili.
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