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I moduli DDR5 di Micron raggiungono 9200MT/s utilizzando la litografia EUV

Micron presenta la sua memoria DDR5 a 1γ nodo con velocità di 9200MT/s ed efficienza energetica migliorata. (Fonte immagine: Micron)
Micron presenta la sua memoria DDR5 a 1γ nodo con velocità di 9200MT/s ed efficienza energetica migliorata. (Fonte immagine: Micron)
Micron è stata la prima a distribuire moduli DDR5 costruiti con la litografia EUV sul suo nuovo nodo 1-gamma. L'innovazione offre velocità superiori del 15 percento, fino a 9200MT/s, riducendo il consumo energetico del 20 percento e aumentando la densità del 30 percento.

Micron Technology è appena diventato il primo produttore di memorie a spedire unità campione di moduli DDR5 costruiti sul nodo DRAM di sesta generazione a 10 nm, noto anche come 1γ (1-gamma). Per la prima volta in assoluto, Micron utilizza la litografia EUV (ultravioletto estremo) nel suo processo di produzione, che comporta notevoli guadagni in termini di velocità, efficienza energetica e resa produttiva.

Grazie a questo nuovo approccio, i circuiti integrati DDR5 da 16 GB di Micron possono raggiungere velocità fino a 9200MT/s. Si tratta di un solido aumento delle prestazioni del 15 percento rispetto alla precedente generazione generazione 1β (1-beta)e allo stesso tempo riduce il consumo energetico di oltre il 20 percento. Inoltre, la tecnica di produzione aggiornata offre una densità di bit superiore del 30 percento, che potrebbe contribuire a ridurre i costi una volta che il processo di produzione sarà maturato.

"L'esperienza di Micron nello sviluppo di tecnologie DRAM proprietarie, combinata con l'uso strategico della litografia EUV, ha dato vita a un solido portafoglio di prodotti di memoria all'avanguardia basati su 1γ, pronti a far progredire l'ecosistema dell'AI", ha dichiarato Scott DeBoer, vicepresidente esecutivo e chief technology & products officer di Micron.

Micron prevede di utilizzare il nodo 1γ in un'ampia gamma di soluzioni di memoria future, tra cui:

Applicazioni per data center: Offrendo prestazioni fino al 15% più veloci e una migliore efficienza energetica per tenere sotto controllo il consumo di energia e il calore.

Dispositivi mobili: Le varianti LPDDR5X supporteranno esperienze AI all'avanguardia direttamente sul suo smartphone o tablet.

Sistemi automobilistici: LPDDR5X con velocità fino a 9600MT/s amplierà la capacità, estenderà la durata di vita dei prodotti e offrirà prestazioni più elevate.

Sia AMD che Intel hanno già iniziato a validare la nuova linea DDR5 di Micron. Amit Goel, Corporate VP of Server Platform Solutions Engineering di AMD, ha sottolineato come questa collaborazione si allinei agli sforzi dell'azienda per continuare a perfezionare i suoi processori EPYC e l'hardware orientato ai consumatori. Nel frattempo, il Dr. Dimitrios Ziakas di Intel ha richiamato l'attenzione sul miglioramento dell'efficienza energetica e sulla maggiore densità che andrà a vantaggio degli ambienti server e dei PC guidati dall'AI.

Attualmente, Micron produce questi chip DRAM 1γ presso i suoi stabilimenti in Giappone, dove l'azienda ha introdotto il suo primo sistema di litografia EUV nel 2024. Con l'aumento della produzione, Micron prevede di installare altre apparecchiature EUV nei suoi siti in Giappone e a Taiwan.

Fonte(i)

Micron (in inglese)

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Nathan Ali, 2025-02-27 (Update: 2025-02-27)