I chip a 2 nm di Samsung Foundry dovrebbero entrare in produzione di massa nel 2025

All'inizio dello scorso anno, Samsung ha confermato il suo AP mobile di punta per il 2025, l' Exynos 2500sarebbe stato prodotto su Nodo 3GAP di Samsung Foundry. Si tratta della seconda iterazione del nodo 3GAA, spesso dimenticato, che era stato relegato alla produzione di ASIC per il mining di criptovalute. Un nuovo rapporto di Business Korea afferma che l'azienda è sulla buona strada per avviare la produzione di massa del suo nodo da 2 nm (SF2) il prossimo anno.

Samsung Foundy rivelerà maggiori dettagli su SF 2 al VLSI (Very Large Scale Integration) Symposium alla fine dell'anno. Sarà utilizzato per sviluppare la prossima CPU Arm CPU Cortex-X6 di Arm. Anche Qualcomm potrebbe accaparrarsi un po' di capacità per il suo Snapdragon 8 Gen 5 per Galaxy SoC. Naturalmente, Samsung lo utilizzerà sicuramente per i propri prodotti Exynos e per i chip AI dell'azienda giapponese PFN Giapponese PFN.

Sarà interessante vedere come reggerà il confronto con i nodi 2 nm di TSMC e 18A di Intel, entrambi destinati ad entrare nella produzione di massa più o meno nello stesso periodo. La competizione sarà serrata questa volta, in quanto sia Intel (RibbonFET) e TSMC (Nanosheets) hanno le loro versioni di transistor gate-all-around, cosa che Samsung ha ottenuto con MBCFET nel 2022.

Inoltre, SF2 potrebbe essere il primo nodo Samsung Foundry a introdurre l'erogazione di potenza backside, che sarà presente anche in Intel 18A (PowerVia) e TSMC N2P. Per maggiori informazioni sul funzionamento del backside power delivery, guardi questa eccellente spiegazione di High Yield su YouTube.