Debutta lo storage UFS 4.0 di Micron per gli smartphone flagship di prossima generazione

Micron presenta i suoi ultimi moduli UFS. (Fonte: Micron)

Micron ha lanciato una nuova memoria flash con lo standard UFS 4.0 aggiornato sul mercato delle memorie per dispositivi mobili. L'OEM afferma che è in grado di raddoppiare le velocità associate al suo predecessore, pur utilizzando fino al 25% di energia in meno. La sua 3D NAND "avanzata" è destinata a contribuire alla realizzazione di smartphone di nuova generazione con capacità fino a 1 TB.

Deirdre O'Donnell, Published 06/25/2023 🇺🇸 🇫🇷 ...

Micron propone apertamente i suoi ultimi moduli flash per i successori di dispositivi come il OnePlus 11e Xiaomi 13 Ultra e Motorola Edge Plus 2023in quanto conformi alla versione aggiornata di UFS 4.0 per la sua categoria. Questa "next big thing in mobile storage" incorpora la più recente tecnologia di mercato dell'OEM per specifiche che potrebbero sbalordire la generazione precedente.

Il passaggio a UFS 4.0 è accompagnato dall'uso di 232 strati 3D NAND, rispetto ai 176 strati del chip UFS 3.1 di Micron UFS 3.1 di Micron. L'aggiornamento è sostenuto per andare fino a due volte la velocità del suo predecessore, con velocità di scrittura e lettura sequenziale fino a 4.000 megabyte al secondo (MB/s) e 4.300MB/s rispettivamente.

Di conseguenza, l'OEM afferma che la sua memoria UFS 4.0 "offre le migliori prestazioni della categoria", a patto che la prossima generazione di smartphone di fascia alta la accetti. Queste ammiraglie del futuro potrebbero avere fino a 1 TB di questa memoria flash "leader di categoria" nel prossimo futuro.

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