Qualcomm Snapdragon 855

La piattaforma mobile Qualcomm Snapdragon 855 Mobile Platform è uno smartphone e tablet di fascia alta SoC che Qualcomm ha annunciato nel dicembre 2018. Il SoC integra un veloce 'Prime Core' che clock fino a 2,84 GHz e tre ulteriori veloci core di prestazioni ARM Cortex-A76, che possono raggiungere fino a 2,42 GHz. Questi sono completati da quattro core ARM Cortex-A55 a risparmio energetico, che clockano fino a un massimo di 1,8 GHz. La maggiore velocità di clock del 'Prime Core' dovrebbe fornire prestazioni del singolo core significativamente migliori rispetto allo Snapdragon 845, ma sospettiamo che lo Snapdragon 855 non sarà all'altezza dell'Apple A12 Bionic. Il nuovo SoC dovrebbe avere prestazioni single-core fino al 45% più veloci e il 35% di prestazioni multi-core rispetto al suo predecessore. Qualcomm elogia la capacità dello Snapdragon 855 di mantenere le sue prestazioni a fronte di un carico sostenuto, battendo l'Apple A12 Bionic SoC e l'HiSilicon Kirin 980.

Il SoC integra anche il nuovo modem X24 LTE che Qualcomm promette di fornire fino a 2 Gbit/s di velocità massima di download su LTE Cat.20 e fino a 316 Mbit/s di velocità di upload. Lo Snapdragon 855 può essere configurato anche con il nuovo modem X50 5G dell'azienda.

Qualcomm ha anche migliorato il modem Wi-Fi integrato, che è Wi-Fi 6-ready, ha 8x8 Sounding e supporta fino a 802.11 ay Wi-Fi. Il modem Wi-Fi può utilizzare la banda mmWave a 60 GHz per velocità internet fino a 10 Gbit/s.

L'Hexagon 690 DSP ha subito la maggior parte delle revisioni di quello che Qualcomm ha integrato nello Snapdragon 855. Il nuovo DSP incorpora un'unità di elaborazione neurale (NPU) con Tensor-cores dedicate che può eseguire fino a 7 trilioni di operazioni al secondo in combinazione con la CPU e la GPU. In breve, lo Snapdragon 855 dovrebbe essere tre volte più veloce dello Snapdragon 845 e due volte più veloce del Kirin 980 SoC.

Lo Snapdragon 855 ha anche un ISP Spectra 380 a bordo, che è il primo chip al mondo a incorporare un Computer Vision Engine (CV-ISP) in grado di eseguire calcoli di profondità nei video fino a 60 FPS. Lo Snapdragon 855 dovrebbe fornire modalità di ritratto in tempo reale o essere in grado di rilevare oggetti con un consumo energetico relativamente basso.

Il controller di memoria integrato supporta fino a 16 GB LPDDR4x RAM (4 x 16 bit). Inoltre, l'Adreno 640 ha il 50% in più di unità di calcolo (ALU) rispetto all'Adreno 630, mentre Qualcomm sostiene che dovrebbe essere il 20% più veloce del suo predecessore. Attualmente non sappiamo a quali velocità di clock l'Adreno 640 opererà, poiché Qualcomm non le ha annunciate durante l'annuncio dello Snapdragon 855.

Qualcomm produrrà lo Snapdragon 855 presso la Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) utilizzando un processo FinFET a 7 nm. Il passaggio alla produzione a 7 nm dovrebbe rendere l'SD855 più efficiente del 20% rispetto all'SD845. Qualcomm non ha annunciato ufficialmente la potenza termica di progetto (TDP) dell'SD855, ma sospettiamo che il SoC raggiungerà un massimo di 5 W e avrà una media di circa 3,5 W sotto carico.